NSTB1002DXV5T1G
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| Teilenummer | NSTB1002DXV5T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSTB1002DXV5T1G |
| Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.626 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 21 - Feb 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSTB1002DXV5T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSTB1002DXV5T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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NSTB1002DXV5T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA, 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V, 40V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung - max | 500mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-553 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 500mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 100mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 470Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 200MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
