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Transistoren

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Beschreibung
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NSBC113EDXV6T1G
NSBC113EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager7.380
NSBC113EDXV6T5
NSBC113EDXV6T5

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.640
NSBC113EPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.688
NSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager30.798
NSBC114EDP6T5G
NSBC114EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 408mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager2.988
NSBC114EDXV6T1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.472
NSBC114EDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager95.592
NSBC114EDXV6T5G
NSBC114EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager7.470
NSBC114EPDP6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager3.780
NSBC114EPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.910
NSBC114EPDXV6T1G
NSBC114EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager7.146
NSBC114EPDXV6T5G
NSBC114EPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.852
NSBC114TDP6T5G
NSBC114TDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager4.086
NSBC114TDXV6T1
NSBC114TDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.544
NSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.040
NSBC114TDXV6T5
NSBC114TDXV6T5

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager4.230
NSBC114TDXV6T5G
NSBC114TDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.258
NSBC114TPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.520
NSBC114TPDXV6T1G
NSBC114TPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.748
NSBC114YDP6T5G
NSBC114YDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager7.272
NSBC114YDXV6T1
NSBC114YDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager6.228
NSBC114YDXV6T1G
NSBC114YDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager60.066
NSBC114YDXV6T5G
NSBC114YDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.868
NSBC114YPDP6T5G
NSBC114YPDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager65.238
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.100
NSBC114YPDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager101.760
NSBC114YPDXV6T5G
NSBC114YPDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager6.804
NSBC115EDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.592
NSBC115EPDXV6T1G
NSBC115EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

SS SOT563 RSTR XSTR TR

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 357mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager6.930
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 339mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager2.232