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Transistoren

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MUN5236DW1T1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager3.942
MUN5236DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager8.316
MUN5237DW1T1
MUN5237DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager4.482
MUN5311DW1T1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager3.474
MUN5311DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager641.718
MUN5311DW1T2G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager102.354
MUN5312DW1T1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager5.364
MUN5312DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager324.684
MUN5312DW1T2G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 385mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager7.848
MUN5313DW1T1
MUN5313DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager4.032
MUN5313DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager99.756
MUN5314DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager1.818.090
MUN5315DW1T1
MUN5315DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager7.920
MUN5315DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager47.754
MUN5316DW1T1
MUN5316DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager2.610
MUN5316DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager43.422
MUN5330DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager23.394
MUN5331DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager2.610
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager7.020
MUN5332DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager3.492
MUN5333DW1T1
MUN5333DW1T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager2.286
MUN5333DW1T1G
MUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager121.818
MUN5334DW1T1G
MUN5334DW1T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager2.100
MUN5335DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager1.521.402
MUN5335DW1T2G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager48.912
MUN5336DW1T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PMP BRT SC70-6

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager149.844
NP043A200A
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager96.042
NP043A300A
NP043A300A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager2.124
NP061A300A
NP061A300A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager3.024
NP061A500A
NP061A500A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager3.870