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Transistoren

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Beschreibung
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FMC6AT148
FMC6AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 250µA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager4.014
FMG11AT148
FMG11AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager5.454
FMG1AT148
FMG1AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager3.006
FMG2AT148
FMG2AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager28.278
FMG3AT148
FMG3AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager7.866
FMG4AT148
FMG4AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager4.932
FMG5AT148
FMG5AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager8.388
FMG6AT148
FMG6AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager8.424
FMG8AT148
FMG8AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager275.904
FMG9AT148
FMG9AT148

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager3.006
FMG9AT248
FMG9AT248

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74A, SOT-753
  • Lieferantengerätepaket: SMT5
Auf Lager3.276
HD1A3M(0)-T1-AZ
HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANSISTOR NPN SC62-3

  • Hersteller: Renesas Electronics America
  • Serie: HD1
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 2W
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SC-62
Auf Lager5.850
IMB10AT110
IMB10AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager28.044
IMB11AT110
IMB11AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager22.116
IMB1AT110
IMB1AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager2.736
IMB2AT110
IMB2AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager6.534
IMB3AT110
IMB3AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager5.058
IMB4AT110
IMB4AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager5.958
IMB5AT108
IMB5AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager7.092
IMB7AT108
IMB7AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SOT-457
Auf Lager7.002
IMB9AT110
IMB9AT110

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager28.926
IMD10AMT1G
IMD10AMT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 13kOhms, 130Ohms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 285mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Lieferantengerätepaket: SC-74R
Auf Lager3.420
IMD10AT108
IMD10AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms, 100Ohms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz, 200MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager29.268
IMD14T108
IMD14T108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 220Ohms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager5.490
IMD16AT108
IMD16AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager21.672
IMD1AT108
IMD1AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager5.004
IMD23T108
IMD23T108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA, 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms, 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms, 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: 200MHz, 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager2.106
IMD2AT108
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Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager6.588
IMD3AT108
IMD3AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager3.996
IMD6AT108
IMD6AT108

Rohm Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 300mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-74, SOT-457
  • Lieferantengerätepaket: SMT6
Auf Lager4.500