IMB1AT110
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| Teilenummer | IMB1AT110 |
| PNEDA Teilenummer | IMB1AT110 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 24 - Apr 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMB1AT110 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMB1AT110 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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IMB1AT110 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 22kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SMT6 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 80MHz Leistung - max 125mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SSMini5-F3 |
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