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IMD3AT108

IMD3AT108

Nur als Referenz

Teilenummer IMD3AT108
PNEDA Teilenummer IMD3AT108
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IMD3AT108 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIMD3AT108
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
IMD3AT108, IMD3AT108 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.669,51 KB)
PDFEMD3T2R Datenblatt Cover
EMD3T2R Datenblatt Seite 2 EMD3T2R Datenblatt Seite 3 EMD3T2R Datenblatt Seite 4 EMD3T2R Datenblatt Seite 5 EMD3T2R Datenblatt Seite 6 EMD3T2R Datenblatt Seite 7 EMD3T2R Datenblatt Seite 8 EMD3T2R Datenblatt Seite 9 EMD3T2R Datenblatt Seite 10 EMD3T2R Datenblatt Seite 11

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IMD3AT108 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSMT6

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EMH3T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

RN4982,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz, 200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

DMA264020R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 65V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA, 100nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

760mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

UP0421600L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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