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EMH10T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.272
EMH11FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.698
EMH11T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager325.380
EMH15T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W 6EMT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager8.892
EMH1FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.294
EMH1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.906
EMH25FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN 100MA EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager141.030
EMH2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager257.646
EMH3T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager3.420
EMH4T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager2.358
EMH59T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager4.950
EMH60T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager63.024
EMH61T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager2.484
EMH6T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager84.822
EMH75T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager7.182
EMH9FHAT2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager2.628
EMH9T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: EMT6	Auf Lager147.948
FMA10AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager2.100
FMA11AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager4.482
FMA1AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager3.762
FMA2AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager7.164
FMA3AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager3.060
FMA4AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager58.914
FMA5AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager22.158
FMA7AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager8.388
FMA8AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager6.444
FMA9AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager2.394
FMC3AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager6.462
FMC4AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA, 300mV @ 5mA, 250µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager7.614
FMC5AT148 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, 30 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SMT5	Auf Lager3.330

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