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Transistoren

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Beschreibung
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NP062AN00A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager84.312
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms, 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager5.706
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager6.624
NP0G3A000A
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager6.876
NP0G3A300A
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager8.082
NP0G3D100A
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Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms, 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager2.232
NP0G3D200A
NP0G3D200A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms, 22kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms, 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager3.204
NP0G3D300A
NP0G3D300A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22kOhms, 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager5.058
NP0H3A300A
NP0H3A300A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 150MHz, 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager4.950
NP0J1A300A
NP0J1A300A

Panasonic Electronic Components

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

  • Hersteller: Panasonic Electronic Components
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Leistung - max: 125mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SSSMini6-F1
Auf Lager3.096
NSB13211DW6T1G
NSB13211DW6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms, 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7kOhms, 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 230mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager7.452
NSB1706DMW5T1
NSB1706DMW5T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Auf Lager3.490
NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Lieferantengerätepaket: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Auf Lager290.052
NSB4904DW1T1G
NSB4904DW1T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager6.696
NSBA113EDXV6T1
NSBA113EDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.856
NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 1kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 1kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SC-88/SC70-6/SOT-363
Auf Lager8.442
NSBA114EDP6T5G
NSBA114EDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 338mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager2.700
NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.088
NSBA114EDXV6T5
NSBA114EDXV6T5

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager7.722
NSBA114EDXV6T5G
NSBA114EDXV6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.472
NSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 408mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager83.448
NSBA114TDXV6T1
NSBA114TDXV6T1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager8.298
NSBA114TDXV6T1G
NSBA114TDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager2.970
NSBA114TDXV6T5
NSBA114TDXV6T5

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.094
NSBA114TDXV6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager5.904
NSBA114YDP6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 408mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager3.240
NSBA114YDXV6T1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager7.488
NSBA114YDXV6T1G
NSBA114YDXV6T1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.618
NSBA115EDXV6T1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 500mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-563, SOT-666
  • Lieferantengerätepaket: SOT-563
Auf Lager3.562
NSBA115TDP6T5G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 100kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 408mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-963
  • Lieferantengerätepaket: SOT-963
Auf Lager6.696