NSBA113EDXV6T1
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| Teilenummer | NSBA113EDXV6T1 |
| PNEDA Teilenummer | NSBA113EDXV6T1 |
| Beschreibung | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.856 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSBA113EDXV6T1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSBA113EDXV6T1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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NSBA113EDXV6T1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 1kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 1kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 40V Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA Frequenz - Übergang 100MHz Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
