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NSBA114TDXV6T1G

NSBA114TDXV6T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSBA114TDXV6T1G
PNEDA Teilenummer NSBA114TDXV6T1G
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NSBA114TDXV6T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSBA114TDXV6T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
NSBA114TDXV6T1G, NSBA114TDXV6T1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 121,46 KB)
PDFNSBA114TDXV6T1G Datenblatt Cover
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NSBA114TDXV6T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max500mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

PRMD3Z

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

230MHz

Leistung - max

480mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1412-6

RN2969(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

US6

RN1509(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

UP0431500L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz, 80MHz

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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