NSBC115TDP6T5G
Nur als Referenz
Teilenummer | NSBC115TDP6T5G |
PNEDA Teilenummer | NSBC115TDP6T5G |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.232 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSBC115TDP6T5G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NSBC115TDP6T5G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
Datenblatt |
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NSBC115TDP6T5G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung - max | 339mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-963 |
Lieferantengerätepaket | SOT-963 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 500mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |