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PBLS1502Y,115

PBLS1502Y,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBLS1502Y,115
PNEDA Teilenummer PBLS1502Y-115
Beschreibung TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 5.058
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBLS1502Y Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBLS1502Y,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PBLS1502Y, PBLS1502Y Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 208,78 KB)
PDFPBLS1502V Datenblatt Cover
PBLS1502V Datenblatt Seite 2 PBLS1502V Datenblatt Seite 3 PBLS1502V Datenblatt Seite 4 PBLS1502V Datenblatt Seite 5 PBLS1502V Datenblatt Seite 6 PBLS1502V Datenblatt Seite 7 PBLS1502V Datenblatt Seite 8 PBLS1502V Datenblatt Seite 9 PBLS1502V Datenblatt Seite 10 PBLS1502V Datenblatt Seite 11

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PBLS1502Y Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V, 15V
Widerstand - Basis (R1)4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)4.7kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA, 100nA
Frequenz - Übergang280MHz
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

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80MHz

Leistung - max

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Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

100mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

408mW

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Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

220Ohms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

150mW

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