PBLS2003S,115
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| Teilenummer | PBLS2003S,115 |
| PNEDA Teilenummer | PBLS2003S-115 |
| Beschreibung | TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBLS2003S Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBLS2003S,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PBLS2003S Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA, 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V, 20V |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA, 100nA |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Leistung - max | 1.5W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 200mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
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