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ZXTD3M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager8.802
ZXTD4591AM832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A, 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager4.878
ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager230.016
ZXTD4591E6TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-23-6	Auf Lager7.920
ZXTD617MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager2.574
ZXTD618MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager3.420
ZXTD619MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager4.842
ZXTD6717E6QTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.388
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A, 1.25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 180MHz, 220MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager85.200
ZXTD6717E6TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A, 1.25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 180MHz, 220MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager6.192
ZXTD717MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager2.232
ZXTD718MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager7.542
ZXTD720MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager261.816
ZXTDA1M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A, 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz, 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager4.212
ZXTDAM832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager3.600
ZXTDB2M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A, 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 140MHz, 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager2.124
ZXTDBM832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager3.510
ZXTDC3M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 165MHz, 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager3.204
ZXTDCM832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 165MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager8.118
ZXTDE4M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A, 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V, 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 160MHz, 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager3.024
ZXTP56020FDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 2A U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Leistung - max: 405mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6	Auf Lager8.280
ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V Leistung - max: 510mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6	Auf Lager5.220
ACX114EUQ-13R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.500
ACX114EUQ-7R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager5.562
ACX114YUQ-13R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.102
ACX114YUQ-7R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms, 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.948
ACX115EUQ-13R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Complementary Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.772
ACX115EUQ-7R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Complementary Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.322
ACX124EUQ-13R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms, 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms, 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.212
ACX124EUQ-7R Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms, 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms, 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 270mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager5.310

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