Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 47/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
ZHB6790TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-223-8 Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.148
ZHB6792TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-223-8 Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager6.786
ZHB6792TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-223-8 Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.700
ZTD09N50DE6QTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 1A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager4.734
ZXT12N20DXTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 112MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager8.172
ZXT12N20DXTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 112MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager4.464
ZXT12N50DXTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 132MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager5.598
ZXT12N50DXTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 132MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager2.502
ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager12.780
ZXT12P12DXTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager7.668
ZXT12P20DXTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager5.796
ZXT12P20DXTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager7.938
ZXT12P40DXTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager103.356
ZXT12P40DXTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.04W Frequenz - Übergang: 130MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager7.146
ZXTC2045E6QTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 30V 1.5A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 265MHz, 195MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager5.814
ZXTC2045E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager54.396
ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A, 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 260MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager21.852
ZXTC2062E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A, 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 215MHz, 290MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager66.042
ZXTC2063E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 190MHz, 270MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager7.290
ZXTC4591AMCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A, 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager2.592
ZXTC6717MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A, 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V, 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V, 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 120MHz, 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager6.336
ZXTC6718MCQTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: W-DFN3020-8	Auf Lager3.528
ZXTC6718MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A, 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 140MHz, 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager27.114
ZXTC6719MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A, 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V, 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 165MHz, 190MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager8.874
ZXTC6720MCTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A, 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V, 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 160MHz, 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-DFN (3x2)	Auf Lager5.634
ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager45.882
ZXTD09N50DE6TC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager4.932
ZXTD1M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 110MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager6.120
ZXTD2090E6TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager8.784
ZXTD2M832TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Leistung - max: 1.7W Frequenz - Übergang: 180MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3x2)	Auf Lager8.370

«
‹
1
...
44
45
46
47 (current)
48
49
50
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message