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ZXTC6718MCQTA

ZXTC6718MCQTA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTC6718MCQTA
PNEDA Teilenummer ZXTC6718MCQTA
Beschreibung PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.528
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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ZXTC6718MCQTA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTC6718MCQTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ZXTC6718MCQTA, ZXTC6718MCQTA Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 225,88 KB)
PDFZXTC6718MCQTA Datenblatt Cover
ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 2 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 3 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 4 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 5 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 6 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 7 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 8 ZXTC6718MCQTA Datenblatt Seite 9

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ZXTC6718MCQTA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 125mA, 4.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 200mA, 2V
Leistung - max1.5W
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketW-DFN3020-8

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.75A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 3V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

450MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

ZDT651TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

175MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

EMX26T2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

820 @ 50mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 125mA, 4.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

Leistung - max

1.7W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

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