ZXTD1M832TA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXTD1M832TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTD1M832TA |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.120 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 25 - Apr 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXTD1M832TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTD1M832TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTD1M832TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 150mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 25nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 2.5A, 2V |
| Leistung - max | 1.7W |
| Frequenz - Übergang | 110MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP (3x2) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
