ZXTC2061E6TA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXTC2061E6TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTC2061E6TA |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.852 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXTC2061E6TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTC2061E6TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTC2061E6TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A, 3.5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Frequenz - Übergang | 260MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
