ZXT12P12DXTC
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXT12P12DXTC |
| PNEDA Teilenummer | ZXT12P12DXTC |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.668 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXT12P12DXTC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXT12P12DXTC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXT12P12DXTC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 30mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 1.04W |
| Frequenz - Übergang | 85MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-MSOP |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V, 6V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA / 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 700mV Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
