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ZXTD2M832TA

ZXTD2M832TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTD2M832TA
PNEDA Teilenummer ZXTD2M832TA
Beschreibung TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.370
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ZXTD2M832TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTD2M832TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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ZXTD2M832TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 350mA, 3.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 2A, 2V
Leistung - max1.7W
Frequenz - Übergang180MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MLP (3x2)

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DMMT5401-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

EMX2DXV6T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

HN1C01FYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SM6

BC858CDXV6T5

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

ULN2002AS16-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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