Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 50/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.316
BCR10PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.802
BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager144.024
BCR10PNH6727XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.568
BCR10PNH6730XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.592
BCR116SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.796
BCR 116S E6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.658
BCR116SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.304
BCR 116S H6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.096
BCR119SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.994
BCR119SE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.598
BCR119SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager6.012
BCR119SH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.996
BCR129SE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.598
BCR129SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager6.570
BCR133SB6327XT Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.262
BCR133SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.798
BCR133SE6433BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager6.966
BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager86.862
BCR133SH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.420
BCR 133S H6444 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.042
BCR135SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.262
BCR135SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager360.294
BCR135SH6827XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager4.122
BCR141SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager4.824
BCR 141S E6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.214
BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.364
BCR 141S H6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.312
BCR148SE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.994
BCR148SE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.492

«
‹
1
...
47
48
49
50 (current)
51
52
53
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message