Transistoren

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BCR183UE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC74 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: PG-SC74-6	Auf Lager2.502
BCR185SB6327XT Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager4.050
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BCR198SH6827XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 190MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.244
BCR22PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager3.924
BCR22PNE6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.040
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BCR 22PN H6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 130MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.358
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BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz, 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager8.982
BCR48PNE6433BTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz, 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager2.538
BCR48PNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz, 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager4.230
BCR48PNH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz, 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager7.308
BCR 48PN H6727 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA, 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: 100MHz, 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: PG-SOT363-6	Auf Lager5.022

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