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BCR35PNH6433XTMA1

BCR35PNH6433XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCR35PNH6433XTMA1
PNEDA Teilenummer BCR35PNH6433XTMA1
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BCR35PNH6433XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCR35PNH6433XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
BCR35PNH6433XTMA1, BCR35PNH6433XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 528,33 KB)
PDFBCR35PNE6433HTMA1 Datenblatt Cover
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BCR35PNH6433XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Frequenz - Übergang150MHz
Leistung - max250mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-VSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketPG-SOT363-6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

SMUN5314DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

187mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

PUMD17,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

PUMB9,125

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

180MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

RN4988FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Widerstand - Basis (R1)

-

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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