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ZXTDAM832TA

ZXTDAM832TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTDAM832TA
PNEDA Teilenummer ZXTDAM832TA
Beschreibung TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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ZXTDAM832TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTDAM832TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ZXTDAM832TA, ZXTDAM832TA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 127,23 KB)
PDFZXTDAM832TA Datenblatt Cover
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ZXTDAM832TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic280mV @ 50mA, 4.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 3A, 2V
Leistung - max1.7W
Frequenz - Übergang120MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MLP (3x2)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

MMDTA42-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

ULN2803ADW

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

18-SOIC

SMA5106

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 2V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP

SLA6012

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 4V

Leistung - max

5W, 25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

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