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ZXTDE4M832TA

ZXTDE4M832TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTDE4M832TA
PNEDA Teilenummer ZXTDE4M832TA
Beschreibung TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.024
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXTDE4M832TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTDE4M832TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
ZXTDE4M832TA, ZXTDE4M832TA Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 513,95 KB)
PDFZXTDE4M832TA Datenblatt Cover
ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 2 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 3 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 4 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 5 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 6 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 7 ZXTDE4M832TA Datenblatt Seite 8

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ZXTDE4M832TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.5A, 2.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V, 70V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang160MHz, 180MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MLP (3x2)

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz, 190MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

PBSS5160PAP,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

340mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

Leistung - max

510mW

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON-EP (2x2)

SMBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363, SC70

ZDT6757TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

ZDT795ATC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

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