ZXTDB2M832TA
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| Teilenummer | ZXTDB2M832TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTDB2M832TA |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.124 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXTDB2M832TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTDB2M832TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTDB2M832TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4.5A, 3.5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 25nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V |
| Leistung - max | 1.7W |
| Frequenz - Übergang | 140MHz, 180MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP (3x2) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SO |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 180MHz, 140MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Lieferantengerätepaket UMT5 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 300MHz, 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 100µA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
