ZXTD617MCTA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXTD617MCTA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTD617MCTA |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.574 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXTD617MCTA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTD617MCTA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTD617MCTA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 50mA, 4.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 200mA, 2V |
| Leistung - max | 1.7W |
| Frequenz - Übergang | 80MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | W-DFN3020-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 2 PNP (Dual) Matched Pair Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA Leistung - max 100mW Frequenz - Übergang 80MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-553 Lieferantengerätepaket ESV |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.7A, 5.9A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 350mA, 7A / 275mV @ 400mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 4A, 2V / 150 @ 2A, 2V Leistung - max 2.3W Frequenz - Übergang 130MHz, 110MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 17.5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 1.8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 16-PowerDIP |
