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L603C

L603C

Nur als Referenz

Teilenummer L603C
PNEDA Teilenummer L603C
Beschreibung TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.382
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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L603C Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL603C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
L603C, L603C Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 67,02 KB)
PDFL604C Datenblatt Cover
L604C Datenblatt Seite 2 L604C Datenblatt Seite 3 L604C Datenblatt Seite 4

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L603C Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)90V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 500µA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max1.8W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-25°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket18-DIP

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Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 2V

Leistung - max

510mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON-EP (2x2)

HN1A01F-Y(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SM6

FMW2T148

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SLA6020

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 4V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP w/fin

CMLT2907A TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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