ZXTD6717E6TA
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| Teilenummer | ZXTD6717E6TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTD6717E6TA |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 85.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXTD6717E6TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTD6717E6TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTD6717E6TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1.5A, 1.25A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V, 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Frequenz - Übergang | 180MHz, 220MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V Leistung - max 2.75W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SM8 |
Hersteller TT Electronics/Optek Technology Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA, 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 1mA, 10V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket U-DFN3030-10 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 100mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 160MHz, 130MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket Mini6-G4-B |
