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Seite 2023/2164

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VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 125A Leistung - max: 447W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket: SOT-227	Auf Lager6.552
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.96nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager7.560
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-Pak Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager4.806
VS-GB100NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager7.740
VS-GB100TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager5.058
VS-GB100TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 8.45nF @ 20V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager6.066
VS-GB100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-Pak Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager2.718
VS-GB100TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 735W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-Pak Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager5.886
VS-GB100TS120NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 200A INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.886
VS-GB100TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 108A Leistung - max: 390W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-Pak Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager8.658
VS-GB100YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 127A Leistung - max: 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 80µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: ECONO3 4PACK	Auf Lager2.142
VS-GB150LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1389W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager3.006
VS-GB150TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1008W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager6.822
VS-GB150TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A Leistung - max: 1147W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.7nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager7.200
VS-GB150TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 138A Leistung - max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager2.124
VS-GB150YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 182A Leistung - max: 892W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 120µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: ECONO3 4PACK	Auf Lager7.308
VS-GB15XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 30A 187W MTP Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Leistung - max: 187W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 12-MTP Module Lieferantengerätepaket: MTP	Auf Lager5.022
VS-GB200LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 370A Leistung - max: 1562W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager4.104
VS-GB200NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 420A Leistung - max: 1562W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager3.816
VS-GB200TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 360A Leistung - max: 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14.9nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager2.646
VS-GB200TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 330A Leistung - max: 1316W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 16.9nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager2.250
VS-GB200TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 209A Leistung - max: 781W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.84V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK	Auf Lager3.546
VS-GB300AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 620A Leistung - max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (5) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager5.670
VS-GB300LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A Leistung - max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager2.412
VS-GB300NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A Leistung - max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager4.608
VS-GB300TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A Leistung - max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager7.650
VS-GB300TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 530A Leistung - max: 2119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 25.3nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager2.286
VS-GB400AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 650A Leistung - max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (5) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager2.466
VS-GB400AH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A Leistung - max: 2841W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (5) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager6.516
VS-GB400TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A Leistung - max: 2604W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 32.7nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK	Auf Lager7.992

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