VS-GB100TH120N
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| Teilenummer | VS-GB100TH120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB100TH120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.058 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB100TH120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB100TH120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB100TH120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Leistung - max | 833W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600A Leistung - max 2119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 28.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
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