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VS-GB100DA60UP

VS-GB100DA60UP

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GB100DA60UP
PNEDA Teilenummer VS-GB100DA60UP
Beschreibung MODULE IGBT SOT-227
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.552
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GB100DA60UP Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GB100DA60UP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
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VS-GB100DA60UP Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)125A
Leistung - max447W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

220W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

VS-GB100NH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.58nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

FF300R07KE4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FS35R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG5K35HF12A

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.4nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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