VS-GB150TH120N
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| Teilenummer | VS-GB150TH120N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GB150TH120N |
| Beschreibung | IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.822 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB150TH120N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GB150TH120N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB150TH120N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
| Leistung - max | 1008W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Leistung - max 175W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 125A Leistung - max 555W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700A Leistung - max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 355W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
