VS-GB150TH120N
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Teilenummer | VS-GB150TH120N |
PNEDA Teilenummer | VS-GB150TH120N |
Beschreibung | IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.822 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GB150TH120N Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-GB150TH120N |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB150TH120N Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
Leistung - max | 1008W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Lieferantengerätepaket | Double INT-A-PAK |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 700A Leistung - max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 750µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |