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VS-GB15XP120KTPBF

VS-GB15XP120KTPBF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GB15XP120KTPBF
PNEDA Teilenummer VS-GB15XP120KTPBF
Beschreibung IGBT 1200V 30A 187W MTP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GB15XP120KTPBF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GB15XP120KTPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GB15XP120KTPBF, VS-GB15XP120KTPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 166,02 KB)
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VS-GB15XP120KTPBF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Leistung - max187W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.66V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.95nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall12-MTP Module
LieferantengerätepaketMTP

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

VS-GB300LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

1645W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 300A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

1150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

15nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ400R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

8350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF30TL601G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Leistung - max

140W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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