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Transistoren

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Beschreibung
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VS-GB400TH120U
VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 660A
  • Leistung - max: 2660W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager7.794
VS-GB50LA120UX
VS-GB50LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 84A
  • Leistung - max: 431W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager4.644
VS-GB50LP120N
VS-GB50LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 446W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager3.526
VS-GB50NA120UX
VS-GB50NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 84A 431W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 84A
  • Leistung - max: 431W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.844
VS-GB50TP120N
VS-GB50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 446W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.29nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager5.778
VS-GB50YF120N
VS-GB50YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 66A 330W ECONO

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 66A
  • Leistung - max: 330W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: ECONO2 4PACK
Auf Lager2.700
VS-GB55LA120UX
VS-GB55LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 55A LS CHOPPER SOT227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: HEXFRED®
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 84A
  • Leistung - max: 431W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager3.490
VS-GB55NA120UX
VS-GB55NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 55A HS CHOPPER SOT227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: HEXFRED®
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 84A
  • Leistung - max: 431W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager4.320
VS-GB600AH120N
VS-GB600AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 910A
  • Leistung - max: 3125W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 41nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Double INT-A-PAK (5)
  • Lieferantengerätepaket: Double INT-A-PAK
Auf Lager3.312
VS-GB70LA60UF
VS-GB70LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 111A
  • Leistung - max: 447W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager6.948
VS-GB70NA60UF
VS-GB70NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 111A 447W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 111A
  • Leistung - max: 447W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.452
VS-GB75DA120UP
VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: 658W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager8.964
VS-GB75LA60UF
VS-GB75LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 109A
  • Leistung - max: 447W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.038
VS-GB75LP120N
VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 170A
  • Leistung - max: 658W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager6.228
VS-GB75NA60UF
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 109A
  • Leistung - max: 447W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager7.974
VS-GB75SA120UP
VS-GB75SA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

MODULE IGBT SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: 658W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.274
VS-GB75TP120N
VS-GB75TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A
  • Leistung - max: 543W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.52nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager2.736
VS-GB75TP120U
VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 105A 500W INT-A-PAK

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 105A
  • Leistung - max: 500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 75A (Typ)
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 30V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-PAK (3 + 4)
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager4.644
VS-GB75YF120N
VS-GB75YF120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: ECONO2 4PACK
Auf Lager3.690
VS-GB75YF120UT
VS-GB75YF120UT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Module
  • Lieferantengerätepaket: ECONO2 4PACK
Auf Lager3.546
VS-GB90DA120U
VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 149A
  • Leistung - max: 862W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager2.491
VS-GB90DA60U
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 147A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager8.154
VS-GB90SA120U
VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: NPT
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 149A
  • Leistung - max: 862W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager3.474
VS-GP100TS60SFPBF
VS-GP100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: PT, Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 337A
  • Leistung - max: 781W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 150µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: INT-A-Pak
  • Lieferantengerätepaket: INT-A-PAK
Auf Lager4.572
VS-GP250SA60S
VS-GP250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 380A 893W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: PT, Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 380A
  • Leistung - max: 893W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager3.564
VS-GP300TD60S
VS-GP300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: PT, Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 580A
  • Leistung - max: 1136W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 150µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Dual INT-A-PAK
Auf Lager5.814
VS-GP400TD60S
VS-GP400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: PT, Trench
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 758A
  • Leistung - max: 1563W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.52V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
  • Lieferantengerätepaket: Dual INT-A-PAK
Auf Lager6.570
VS-GT100DA120U
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 258A
  • Leistung - max: 893W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager4.536
VS-GT100DA120UF
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Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: HEXFRED®
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 187A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.634
VS-GT100DA60U
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Vishay Semiconductor Diodes Division

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 184A 577W SOT-227

  • Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 184A
  • Leistung - max: 577W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227
Auf Lager5.742