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VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT100DA120UF
PNEDA Teilenummer VS-GT100DA120UF
Beschreibung OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GT100DA120UF Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT100DA120UF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
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VS-GT100DA120UF Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieHEXFRED®
IGBT-TypTrench
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)187A
Leistung - max890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.15nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

530A

Leistung - max

1470W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

8mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

FS820R08A6P2LMBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

820A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FP150R07N3E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FF450R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

560A

Leistung - max

1450W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

27.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

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