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APT35GP120J

APT35GP120J

Nur als Referenz

Teilenummer APT35GP120J
PNEDA Teilenummer APT35GP120J
Beschreibung IGBT 1200V 64A 284W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.138
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT35GP120J Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT35GP120J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APT35GP120J Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)64A
Leistung - max284W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.24nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallISOTOP
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

360W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.35nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

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E3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGF50H60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGT50H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

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