APT35GP120J
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| Teilenummer | APT35GP120J |
| PNEDA Teilenummer | APT35GP120J |
| Beschreibung | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.138 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT35GP120J Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT35GP120J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT35GP120J Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 64A |
| Leistung - max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Leistung - max 357W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 4mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5345nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
