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APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGT50H120T3G
PNEDA Teilenummer APTGT50H120T3G
Beschreibung IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGT50H120T3G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGT50H120T3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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APTGT50H120T3G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationFull Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Leistung - max270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce3.6nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP3
LieferantengerätepaketSP3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-ETF075Y60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

109A

Leistung - max

294W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.93V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.44nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EMIPAK-2B

Lieferantengerätepaket

EMIPAK-2B

HGT1N40N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

298W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FZ1200R33KL2CB5NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2300A

Leistung - max

14500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 1200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.55nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4

Lieferantengerätepaket

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