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APTGF360U60D4G

APTGF360U60D4G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF360U60D4G
PNEDA Teilenummer APTGF360U60D4G
Beschreibung IGBT 600V 450A 1560W D4
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF360U60D4G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF360U60D4G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF360U60D4G, APTGF360U60D4G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 624,54 KB)
PDFAPTGF360U60D4G Datenblatt Cover
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APTGF360U60D4G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)450A
Leistung - max1560W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 360A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce17nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD4
LieferantengerätepaketD4

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Powerex Inc.

Serie

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1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

2775W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

45nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T15FF12Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EZIRPACK 1™ Module

Lieferantengerätepaket

EZIRPACK 1™

DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB150TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

280A

Leistung - max

1147W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.7nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Leistung - max

150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

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