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FF600R12IE4VBOSA1

FF600R12IE4VBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF600R12IE4VBOSA1
PNEDA Teilenummer FF600R12IE4VBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 600A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.902
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FF600R12IE4VBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF600R12IE4VBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF600R12IE4VBOSA1, FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 1.700,72 KB)
PDFFF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Cover
FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 2 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 3 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 4 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 5 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 6 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 7 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 8 FF600R12IE4VBOSA1 Datenblatt Seite 9

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FF600R12IE4VBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)600A
Leistung - max3350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce37nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 900A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

56nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF150A60T3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

230A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

Hersteller

IXYS

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGT100H170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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