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DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3B27BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer DF200R12W1H3B27BOMA1
PNEDA Teilenummer DF200R12W1H3B27BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DF200R12W1H3B27BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDF200R12W1H3B27BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
DF200R12W1H3B27BOMA1, DF200R12W1H3B27BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 747 KB)
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DF200R12W1H3B27BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Leistung - max375W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.3V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Leistung - max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

600µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MiniPack2

Lieferantengerätepaket

MiniPack2

STGE50NC60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

260W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

ISOTOP

FS400R07A3E3H6BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150SK120D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

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