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IRG5K300HF06B

IRG5K300HF06B

Nur als Referenz

Teilenummer IRG5K300HF06B
PNEDA Teilenummer IRG5K300HF06B
Beschreibung MOD IGBT 600V 300A POWIR 62
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG5K300HF06B Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG5K300HF06B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
IRG5K300HF06B, IRG5K300HF06B Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 818,53 KB)
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IRG5K300HF06B Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)480A
Leistung - max1200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce18.8nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallPOWIR® 62 Module
LieferantengerätepaketPOWIR® 62

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.6nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM150GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT50A120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APT45GP120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.94nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

138A

Leistung - max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.48V @ 15V, 80A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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