FS150R07N3E4BOSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | FS150R07N3E4BOSA1 |
PNEDA Teilenummer | FS150R07N3E4BOSA1 |
Beschreibung | IGBT MODULE 650V 150A |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.776 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FS150R07N3E4BOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | FS150R07N3E4BOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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FS150R07N3E4BOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | * |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Three Phase Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
Leistung - max | 430W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-3 Module Lieferantengerätepaket D3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 483W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket SP3F |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 23nF @ 10V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |