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MWI100-12A8T

MWI100-12A8T

Nur als Referenz

Teilenummer MWI100-12A8T
PNEDA Teilenummer MWI100-12A8T
Beschreibung IGBT SIXPACK 160A 1200V E3PACK
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.572
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MWI100-12A8T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMWI100-12A8T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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MWI100-12A8T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Leistung - max640W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)6.3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE3
LieferantengerätepaketE3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

3000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FZ1600R17HP4HOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1600A

Leistung - max

10500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 1300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

130nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Leistung - max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

FZ800R33KF2CNOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1300A

Leistung - max

9600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.25V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

100nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF100DU120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

568W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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