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FS10R12VT3BOMA1

FS10R12VT3BOMA1

Nur als Referenz

Teilenummer FS10R12VT3BOMA1
PNEDA Teilenummer FS10R12VT3BOMA1
Beschreibung IGBT MODULE VCES 600V 10A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FS10R12VT3BOMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFS10R12VT3BOMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FS10R12VT3BOMA1, FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 392,74 KB)
PDFFS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Cover
FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 2 FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 3 FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 4 FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 5 FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 6 FS10R12VT3BOMA1 Datenblatt Seite 7

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FS10R12VT3BOMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Leistung - max64W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce700pF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

89A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E1

Lieferantengerätepaket

E1

APTGT150A120T3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGT50DH60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGF180DU60TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

FF1800R12IE5BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1800A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 1800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

98.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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