APTGT75H60T2G
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| Teilenummer | APTGT75H60T2G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT75H60T2G |
| Beschreibung | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.628 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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APTGT75H60T2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT75H60T2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT75H60T2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP2 |
| Lieferantengerätepaket | SP2 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 310W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.056nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 7PM-GA Lieferantengerätepaket 7PM-GA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration 3 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Leistung - max 145W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 875pF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
