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IXGN100N120

IXGN100N120

Nur als Referenz

Teilenummer IXGN100N120
PNEDA Teilenummer IXGN100N120
Beschreibung IGBT 160A 1200V SOT-227B
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.436
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Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGN100N120 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGN100N120
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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IXGN100N120 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227B

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

650µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.75nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

FD1200R17HP4KB2BOSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

440A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

8mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

20nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D3

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

89W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.03V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

75µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.07nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

EMIPAK-2B

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