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DDB6U134N16RRBOSA1

DDB6U134N16RRBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer DDB6U134N16RRBOSA1
PNEDA Teilenummer DDB6U134N16RRBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1600V 134A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DDB6U134N16RRBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDDB6U134N16RRBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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DDB6U134N16RRBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Leistung - max500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.75V @ 15V, 70A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.1nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Powerex Inc.

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13.3nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT100DA170D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

FF225R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB100LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-Pak

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

GHIS040A060S-A2

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Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.72nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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