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VS-GB75TP120N

VS-GB75TP120N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GB75TP120N
PNEDA Teilenummer VS-GB75TP120N
Beschreibung IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.736
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GB75TP120N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GB75TP120N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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VS-GB75TP120N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Leistung - max543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.52nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-PAK (3 + 4)
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

640W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

6.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Leistung - max

360W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.78nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

APTGT150A120D1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

APTGT100SK170TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

VKI75-06P1

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

69A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

800µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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