VS-GB75TP120N
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Teilenummer | VS-GB75TP120N |
PNEDA Teilenummer | VS-GB75TP120N |
Beschreibung | IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
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Auf Lager | 2.736 |
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VS-GB75TP120N Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | VS-GB75TP120N |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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VS-GB75TP120N Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | Half Bridge |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
Leistung - max | 543W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 75A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 5.52nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 652W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |