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MWI50-06A7T

MWI50-06A7T

Nur als Referenz

Teilenummer MWI50-06A7T
PNEDA Teilenummer MWI50-06A7T
Beschreibung MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.236
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MWI50-06A7T Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMWI50-06A7T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MWI50-06A7T, MWI50-06A7T Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 104,21 KB)
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MWI50-06A7T Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)72A
Leistung - max225W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)600µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce2.8nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

115W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT100H120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

FPF1C2P5MF07AM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

620V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

39A

Leistung - max

231W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

F1 Module

Lieferantengerätepaket

F1

FMG2G100US60

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.84nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

7PM-GA

Lieferantengerätepaket

7PM-GA

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.475nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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